大信号模型是用于分析电路的一种表示形式，使用的电压和电流被视为高于低信号类别。拥有低信号和大信号模型的主要原因是行为电路（特别是半导体）取决于所涉及信号的相对幅度。大信号模型还揭示了当信号电平接近设备最大允许电平时电路的特性。晶体管模型利用大信号模型来预测馈送最大信号电平和提取最大输出期间的性能和特性。在最高信号电平下减少失真和噪声输出的机制是基于大信号非线性模型设计的。
二极管中的正向压降是二极管两端的电压当阴极为负极，阳极为正极时。在二极管建模中，小信号模型考虑了例如，考虑硅二极管两端的 0.7 伏 (V) 正向压降和锗二极管两端的 0.3 V 正向压降。在大信号模型中，接近典型二极管的最大允许正向电流将显着增加实际正向压降。
拿着钻头的男人在反向偏压下，二极管具有正极阴极和负极阳极。反向偏置二极管的小信号和大信号模型中几乎没有导通。在反向偏置模式下，无论是小信号模型还是大信号模型，二极管的处理方式几乎相同。反向偏置二极管的大信号模型的差异在于反向击穿电压，如果允许二极管吸收功率，则二极管将永久失效，从而产生n 对二极管的正负 (P-N) 结（正 (P) 型和负 (N) 型半导体之间的结）造成不可逆损坏。
对于大信号建模，有源器件的几乎所有特性都会发生变化。当消耗更多功率时，温度升高通常会导致大多数晶体管的增益和漏电流增加。通过适当的设计，有源设备能够自动控制任何出现失控状态的机会。例如，在热失控中，维持有源器件的静态工作特性的偏置电流可能会发展到越来越多的功率被有源器件吸收的极端情况。通过在有源器件端子中添加适当的附加电阻器可以避免这种情况，这些电阻器可以补偿变化，就像负反馈一样k机制。
