金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管是大多数现代数字存储器、处理器和逻辑芯片的构建模块。它也是许多模拟和混合信号集成电路中的常见元件。这些晶体管存在于从手机和计算机到数控冰箱和电子医疗设备的许多电子设备中。 MOS晶体管用途广泛，可以用作开关、放大器或电阻器。它也被称为一种特殊类型的场效应晶体管 (FET)，称为绝缘栅 (IGFET) 或 MOS (MOSFET)。 场效应是指晶体管栅极电荷产生的电场。
MOS晶体管制作在半导体晶体基板上，通常由硅制成。基板顶部有一层薄薄的绝缘层，通常由二氧化硅制成。该层之上是栅极，通常由金属或多晶硅制成。晶体区域栅极的一侧称为源极，另一侧称为漏极。源极和漏极一般都"掺杂"同种类型的硅；栅极下方的沟道被"掺杂"了相反的类型。这形成了类似于标准 NPN 或 PNP 晶体管的结构。
大多数现代电子设备都使用某种类型的晶体管。MOS晶体管通常被制造为PMOS或NMOS晶体管。 PMOS晶体管的源极和漏极均由p型硅制成；栅极下方的沟道是n型的。当负电压施加到栅极时，晶体管导通。这允许电流在源极和漏极之间流动。当向栅极施加正电压时，它会关闭。
NMOS 晶体管 i相反：具有 n 型源极和漏极的 p 型沟道。当NMOS晶体管的栅极施加负电压时，它会截止；正电压将其打开。 NMOS 相对于 PMOS 的优势之一是开关速度-NMOS 通常更快。
许多集成电路使用互补 MOS (CMOS) 逻辑门。 CMOS 栅极由两种连接在一起的晶体管组成：一种 NMOS 和一种 PMOS。在功耗至关重要的情况下，这些门通常受到青睐。它们通常不使用电源，直到晶体管从一种状态切换到另一种状态。
耗尽型 MOSFET 是一种特殊类型的 MOS 晶体管，可用作电阻器。其栅极区域在二氧化硅绝缘体和衬底之间添加了一层额外的层。该层"掺杂"有与漏极和源极区域相同类型的硅。当栅极处没有电荷时，该层传导电流。电阻的大小由o的大小决定f 晶体管创建时。栅极电荷的存在会关闭这种类型的 MOS 晶体管。
与大多数其他晶体管一样，MOS 晶体管可以放大信号。源极和漏极之间流动的电流量随栅极信号而变化。一些 MOS 晶体管被构造并单独封装以处理大电流。这些可用于开关电源、高功率放大器、线圈驱动器和其他模拟或混合信号应用。大多数MOS晶体管用于低功耗、低电流数字电路。这些通常与其他部件一起包含在芯片内，而不是单独存在。
