MOSFET 晶体管是一种在电子设备中开关或放大信号的半导体器件。 MOSFET 是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。该名称可以不同地写为 MOSFET、MOS FET 或 MOS-FET；尽管 MOSFET 晶体管这个术语有其冗余性，但它仍被广泛使用。 MOSFET 晶体管的目的是通过使用少量的电流来影响更大量的电流，从而影响通过器件的电荷流动。 MOSFET 是现代电子产品中最常用的晶体管。
MOSFET 晶体管在现代生活中无处不在，因为它是集成电路中最常用的晶体管类型，几乎是集成电路的基础。所有现代计算机和电子设备。 MOSFET 晶体管因其低功耗和低耗散、低废热以及低批量生产成本而非常适合这一角色。现代集成电路可以包含数十亿个 MOSFET。 MOSFET瞬变存储存在于从手机和数字手表到用于气候学、天文学和粒子物理学等领域的复杂科学计算的巨型超级计算机等设备中。
MOSFET 晶体管采用各种形状、尺寸和排列。MOSFET 有四个半导体端子，称为源极、栅极、漏极和体。源极和漏极位于晶体管的主体内，而栅极位于这三个端子的上方，位于源极和漏极之间。栅极通过薄薄的绝缘层与其他端子隔开。
MOSFET 可以设计为使用带负电的电子或带正电的电子空穴作为电电荷载体。源极、栅极和漏极项离子被设计成具有过量的电子或电子空穴，从而使每个电子或电子空穴具有负极性或正极性。源极和漏极始终为相同极性，栅极始终为源极和漏极的相反极性。
当体和栅极之间的电压为增加并且栅极接收电荷，相同电荷的电荷载流子被栅极区域排斥，形成所谓的耗尽区。如果该区域变得足够大，它将在绝缘层和半导体层的界面处形成所谓的反型层，提供与栅极相反极性的电荷载流子可以轻松流动的通道。这使得大量的电力从源头流向漏极。与所有场效应晶体管一样，每个单独的 MOSFET 晶体管都专门使用正电荷载流子或负电荷载流子。
MOSFET 晶体管主要由硅或硅制成硅锗合金。半导体端子的特性可以通过添加硼、磷或砷等少量杂质来改变，这一过程称为掺杂。栅极通常由多晶硅制成，但有些 MOSFET 的栅极由与钛、钨或镍等金属合金化的多晶硅制成。极小的晶体管使用由钨、钽或氮化钛等金属制成的栅极。绝缘层最常用的是二氧化硅 (SO2)，但也使用其他氧化物。
