晶体管漏极是场效应晶体管的一部分，通常称为 FET，相当于标准半导体晶体管的发射极。 FET 有四个基本组件和相应的端子，分别称为栅极、源极、体和漏极。当 FET 的栅极和主体处存在控制电压时，在源极等待的任何电信号都会从源极传输到晶体管漏极，然后从漏极端子流出。因此，晶体管漏极可以指场效应晶体管的输出组件，也可以指将该组件连接到其他电路的端子。
虽然场效应晶体管执行的功能类似于标准结型晶体管，它们执行这些功能的方式非常不同。常规晶体管由三块带有交替静电荷的材料制成，正-负-正（称为 PNP）或负-正-负（称为 NPN）。这些作品，称为 colle向量、发射极和基极熔合在一起，这实际上创建了一个具有两个阳极或两个阴极的二极管。
男子拿着电脑如果电信号在晶体管的集电极处等待，并且基极没有电压，则晶体管被关闭并且不传导电信号。如果电压进入晶体管的基极，它会改变基极的电荷。电荷的变化使晶体管导通，集电极信号通过晶体管传导并从发射极传出，供其他电子电路使用。
场效应晶体管工作基于完全不同的原则。 FET 由四块材料组成，每块材料都有一个端子，称为源极、栅极、漏极和体。的这四种中，只有源极、漏极和主体带有静电荷。该电荷要么在源极和漏极中为负电荷，称为 n 沟道 FET，要么在源极和漏极中都为正电荷，称为 p 沟道 FET。无论哪种情况，FET 的主体都会携带与源极和漏极相反的电荷。
然后将这四个部件按照与在标准晶体管中。源极和漏极将熔合到主体的任一端。然后，栅极熔接到源极和漏极，桥接它们，但不与晶体管主体直接接触。相反，栅极设置为平行于主体并与主体保持特定距离。
如果 FET 是 n 沟道型器件，则源极和漏极之间连接的无电压或负电压会将 FET 切换为关闭状态，源极和漏极之间不会传导信号。 FET 体充电后，在 FET 栅极施加正电压会将其切换到开启状态。栅极的电荷将开始从 FET 主体拉出电子，本质上创建一个称为导电沟道的场。
如果栅极处的电压足够强，则某个点称为阈值电压下，导电通道才能完全形成。一旦导电沟道完全形成，FET 源极的电压将能够通过导电沟道将其信号传导至晶体管漏极。如果栅极电压降至阈值以下，FET 栅极和主体之间的场将立即崩溃，传导沟道随之消失，并使 FET 返回关闭状态。
FET 非常敏感到它们的栅极阈值电压。使用仅略高于所需电压的栅极电压，然后稍微降低它，将非常快速地打开和关闭 FET。因此，在非常高的频率下仅稍微改变栅极电压就可以将 FET 关闭与标准晶体管相比，关闭和开启的速度要快得多，电压要小得多。 FET 的开关速度使其成为高速数字电路的理想晶体管。它们广泛应用于数字集成电路和微处理器等设备中，并且是现代计算机 CPU 中选择使用的晶体管。
