NRAM 是nano-RAM或基于纳米管/非易失性随机存取存储器的缩写，是 Nantero 公司拥有的一种新型内存存储技术。该技术将微小的碳纳米管与传统半导体融合在一起。由于包含内存的元素（纳米管）非常小，NRAM 技术将实现非常高的内存密度：至少是目前最佳水平的 10-100 倍。 NRAM 将以机电方式运行，而不仅仅是电气运行，这使其作为非易失性存储器与其他存储技术区分开来，这意味着即使关闭电源，数据也将被保留。该技术的创建者声称它具有所有最好的内存技术的优点，并且没有任何缺点，使其成为未来内存的通用介质。
碳纳米管是由碳原子组成的小管，宽度只有几纳米，仅为人类头发宽度的 1/100,000。碳纳米管壁的组成单个碳原子。纳米管与金刚石一样坚硬，并且与铜一样导电。近年来，大规模生产纳米管的成本大幅下降。
男子手持计算机通过创建薄薄的纳米管"织物"并将它们排列在嵌入传统电路的硅晶片上的结处，可以创建混合机电存储系统。配置在一个位置的纳米管表示 1，配置在另一个位置的纳米管表示 0。当一薄层纳米管遍布晶圆表面时，制造就开始了，然后使用传统的光刻技术去除功能上不必要的纳米管。
量产的 NRAM 可能会取代 DRAM（动态 RAM）、SRAM（静态 RAM）、闪存，并最终取代硬盘存储本身。它将催生"即时启动"计算机和内存高达 10GB 的 PDA 大小的设备。由于纳米管非常坚固，并且其运行的基础是机械，因此 NRAM 设备具有很强的耐磨性，包括耐热、耐冷和耐磁性。它们还将催生即时启动设备，并取代当今使用的两种流行的 RAM 类型——闪存 RAM 和 DRAM。由于NRAM技术中的功能元件是纳米尺寸的，因此NRAM属于一般意义上的纳米技术，但不属于分子纳米技术（分子制造），因为纳米尺寸的元件无法制造额外的产品达到原子精度。
