缺乏电子的区域可以被认为是正区域，称为 p 型区域，并由"PNP"中的两个 P 表示。具有多余电子的区域被称为n型区，位于PNP晶体管的中间，有多余的电子想要寻找空穴来填充。该区域由"PNP"中的 N 表示。
PNP 和 NPN 晶体管非常相似，在大多数情况下都可以在电路中使用。双极结型晶体管，包括 PNP 晶体管，有发射极、基极和集电极。发射极是放出电子或空穴的部分。基极负责调节或控制流过的电流。电荷（电子或空穴）通过晶体管。集电极收集电荷。将正确的电压连接到晶体管上的特定点将控制晶体管内的电流流动。
PNP 晶体管是一种常见类型的双极结两种不同的电流施加到 PNP 晶体管，使一半反向偏置，另一半反向偏置r 半正向偏置。这意味着正向偏压的一半将电子向前推向中心并让它们轻松通过，而反向偏压的一半则建立阻力。将电子移动到 PNP 晶体管的这半部分需要大量的能量。这两个区域的存在都是为了更好地控制电流并帮助放大信号。
由 PNP 晶体管的三个部分组成的正向和反向偏置区域允许电流开始轻松流过一半，然后在电流达到时遇到电阻。传到下半场。当它最终获得足够的能量来克服这个电阻并完成电路时，信号就被放大了。这使得 PNP 晶体管能够将小电信号放大或增加为较大的电信号。
另一种常见类型的双极结型晶体管是 NPN 晶体管。它与 PNP 版本非常相似。主要区别在于半导体材料的顺序。而不是使用两种正材料和一种负材料中间是正极材料，它使用两个负极材料，中间一个正极材料。两者之间确实存在细微的差异，但在大多数情况下，在构建电路时两者都可以工作。
