铁电随机存取存储器 (FRAM) 使用特殊的"铁电薄膜"存储计算机数据，该薄膜能够快速改变极性。即使断电也能保留数据，因此它被归类为非易失性存储器。铁电存储器无需电池即可工作，并且在将信息写入或重写到芯片时消耗很少的电量。铁电存储器中随机存取存储器的性能与只读存储器的能力相结合。它用于智能卡和手机等移动设备，因为耗电量很少，而且存储芯片很难被篡改。
铁电存储芯片通过使用锆钛酸铅薄膜来改变其周围的电场来工作。薄膜中的原子将电极性改变为正或负，反之亦然。这使得薄膜表现为一个与二进制代码兼容的开关，并且可以允许数据传输o 有效存储。当电源关闭时，薄膜的极性保持不变，从而保持信息完整并允许芯片在没有太多能量的情况下工作。如果电源突然关闭（例如停电），铁电存储芯片甚至可以保留数据。
拿着光盘的女人与与动态随机存取存储器（DRAM）和电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）相比，铁电存储器的功耗减少了3,000倍。由于信息可以多次写入、擦除和重写，因此预计其使用寿命可以延长 10,000 倍。 DRAM 使用介电层，而 FRAM 使用铁电层代替介电层。不同存储芯片的结构在其他方面非常相似。
也称为 FeRAM、ferroelectric 内存的写入速度比其他内存快得多。据估计，写入速度比 EEPROM 器件快近 500 倍。科学家们使用电子显微镜拍摄了存储芯片表面电场的图像。利用这种技术，他们可以测量能够在原子尺度上控制极化的材料，从而制造出工作速度更快的存储芯片。
铁电存储器更重要比其他类型的计算机内存更节能。使用和存储数据也更安全，因为重要信息不会轻易丢失。它适用于手机和射频识别 (RFID) 系统。内存芯片还可以多次重写数据，因此内存不会磨损，需要在短时间内更换。
